型号:

IRFR220NTRPBF

RoHS:无铅 / 符合
制造商:International Rectifier描述:MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFR220NTRPBF PDF
产品目录绘图 IR Hexfet DPak
标准包装 2,000
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 600 毫欧 @ 2.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 300pF @ 25V
功率 - 最大 43W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 带卷 (TR)
其它名称 IRFR220NPBFTR
IRFR220NTRPBF-ND
IRFR220NTRPBFTR-ND
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